【巨人财经】12月27日消息，佳能最新推出的FPA-1200NZ2C纳米压印光刻(NIL)半导体设备已引起广泛关注。佳能社长御手洗富士夫表示，这一纳米压印光刻技术的问世为小型半导体制造商提供了一条全新的生产高级芯片的途径。
据了解，纳米压印光刻是一种将带有半导体电路图案的掩模直接压印在晶圆上的技术，仅需一个印记，就可以在准确的位置形成复杂的2D或3D电路图案。这意味着只需不断改进掩模，甚至可以生产2纳米尺寸的芯片。
佳能的纳米压印光刻技术能够制造至少5纳米工艺尺寸的芯片，这在当前由ASML主导的先进半导体制造设备市场中，使佳能与ASML的差距不断缩小。
岩本和德，佳能半导体设备业务经理，指出，由于客户的需求和成本各不相同，单个压印工艺的估计成本最低可以达到传统光刻设备工艺的一半。
御手洗富士夫曾表示，NIL产品的价格比ASML的EUV设备低出一位数。
佳能已与日本印刷综合企业大日本印刷株式会社以及存储芯片制造商铠侠控股合作研究纳米压印技术已有近十年。这一技术的独特之处在于，与使用反射光的极紫外光刻技术不同，佳能的纳米压印技术可以将电路图案直接印在晶圆上，制造出与目前最先进节点相媲美的芯片，尽管制程速度较慢。
这一新设备有望帮助芯片制造商减少对芯片代工厂的依赖，并有望让像台积电和三星电子等芯片代工厂更容易批量生产芯片。佳能还表示，这款机器的能耗仅为同类EUV产品的十分之一。
佳能此前一直专注于普通芯片制造，但自2014年以来，公司开始大力投资纳米印记技术，并收购了专注于纳米压印技术的分子压模公司(Molecular Imprints Inc.)。作为台积电的供应商之一，佳能正在东京北部的宇都宫市兴建20年来的第一家光刻设备新工厂，预计将于2025年投产。
岩本和德在接受日经采访时表示，目前，佳能已收到来自半导体制造商、大学和研究机构的大量咨询，客户预计这一技术可以作为EUV的替代品，有望用于生产包括闪存、个人计算机的DRAM和逻辑IC等各种半导体产品。这标志着佳能在半导体制造领域迈出了一大步。
