ASML CEO透露:High NA EUV光刻机2027至2028年将开启先进制程量产新篇章

   发布时间:2025-12-15 12:59 作者:赵磊

ASML首席执行官克里斯托夫・富凯(Christophe Fouquet,中文名傅恪礼)在公司总部接受彭博社专访时透露,High NA EUV光刻机预计将在2027至2028年间正式应用于先进制程的大规模量产。这一消息引发了半导体行业的广泛关注,尤其是对于那些正在推进新一代芯片制造技术的企业而言。

目前,英特尔代工在导入新一代图案化技术方面表现最为积极。其支持High NA EUV的Intel 14A节点计划于2027年正式推出。这一节点被视为英特尔在先进制程领域的重要突破,有望帮助其在全球芯片制造竞争中占据更有利的位置。

富凯表示,High NA EUV光刻机目前正由英特尔等客户进行测试。从测试结果来看,新设备在成像和分辨率方面表现优异,达到了预期目标。他进一步指出,ASML在2026年的重要任务之一是与客户紧密合作,将设备的停机时间降至最低,以确保大规模量产的顺利进行。

富凯还透露,ASML对未来10至15年的技术发展已有初步规划。公司已启动下一代Hyper NA EUV的研究工作,旨在为本世纪30年代的设备投运奠定基础。这一举措表明,ASML在光刻技术领域的创新步伐并未停歇,而是持续向更高精度、更高效率的方向迈进。

 
 
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