高性能碳化硅（SiC）模块制造商无锡利普思半导体有限公司近日宣布完成亿元级PreB+轮融资，新晋投资方包括扬州国金投资集团与扬州龙投资本。本轮资金将重点投向扬州车规级SiC模块封装测试基地建设，同步推进全球市场拓展计划。该基地规划总投资10亿元，首期产线预计2026年建成，2027年实现年产300万只模块的产能目标。
作为第三代功率半导体领域的创新企业，利普思自2019年成立以来持续深耕SiC模块研发。其产品突破传统IGBT模块性能局限，在耐压等级、能量损耗及开关频率等核心指标上实现显著提升，特别适用于新能源汽车驱动系统、超级充电桩、智能电网设备等高压场景。据行业数据显示，随着上游材料成本下降，SiC功率器件市场正以年均超30%的速度扩张。
在技术布局方面，公司构建了覆盖材料、设计到制造的全链条创新体系。通过自主研发高导热环氧灌封技术、联合开发高散热绝缘基板，以及引入ArcBonding芯片键合等先进工艺，成功将模块杂散电感降低40%，功率密度提升25%。目前其1200V-3300V系列产品已通过多家头部企业的严苛测试，在电网设备、新能源重卡等领域形成稳定供货。
面向AI算力爆发带来的新机遇，利普思提前布局数据中心供电系统升级。基于SiC器件的固态变压器（SST）方案可提升供电效率15%以上，同时将设备体积缩小60%。公司透露，其多款高压模块已完成国内外知名客户的样品验证，预计2027年前后将在数据中心市场形成规模化应用。
全球化战略方面，公司通过"技术+市场"双轮驱动模式加速出海。2020年在日本设立的研发中心汇聚了多位半导体材料专家，欧洲销售服务中心则强化了本地化服务能力。目前产品已进入20余个国家市场，海外销售占比预计在2025年突破45%。
即将建设的扬州基地将按照车规级标准打造智能化产线，实现从晶圆测试到模块封装的全程自动化生产。该基地特别规划了独立SiC产线，避免与IGBT制造交叉污染，同时支持嵌入式封装等前沿技术开发。项目达产后，年产能将达现有无锡工厂的4倍以上，为电网升级和AI算力基建提供关键器件支撑。
据创始人丁烜明介绍，扬州基地将重点突破三大技术方向：构建符合AEC-Q100标准的质量体系、开发新一代低杂散电感封装结构、建立客户定制化开发平台。预计2027年形成200万只模块的交付能力，助力公司在全球SiC功率器件市场占据更重要地位。
