在台北电脑展上，三星电子向业界展示了其最新的存储技术成果，重点推出了第八代高带宽内存HBM5的样品，并宣布将引入创新的HPB散热技术以应对AI系统日益严峻的散热挑战。这一系列举措标志着三星在存储领域的技术布局进一步深化，旨在满足AI应用对高性能、高集成度存储解决方案的迫切需求。
三星电子DS部门首席技术官宋在赫在展会现场指出，AI产业的快速发展正推动存储技术向更高性能、更高集成度的方向演进。如今，存储性能已不再是竞争的唯一焦点，数据处理效率和热管理能力同样成为决定产品竞争力的关键因素。三星此次展示的HBM5样品，正是针对这一趋势研发的成果。
HBM5的核心技术之一是HPB散热技术。该技术通过新增独立的热传导路径，有效降低热阻，使物理层区域产生的热量能够更高效地扩散和释放，从而提升内存的运行稳定性。三星表示，HPB技术有望在高带宽、高集成的AI应用环境中显著改善系统整体效率，为AI计算提供更可靠的存储支持。
据三星透露，HPB技术已在HBM4E产品上完成实现与验证，并计划在后续的HBM5中正式导入，以进一步提升产品性能和稳定性。三星还计划在HBM5中率先采用2纳米基础芯片，这一举措将进一步推动存储技术的突破。
除了HBM5，三星在展会上还展示了HBM4E晶圆和芯片组。该产品采用1c DRAM核心芯片与三星自家4纳米工艺基础芯片的组合结构，已于5月29日完成行业首个样品出货。HBM4E能够以每引脚14Gbps的速度稳定运行，最高可达16Gbps，对应最大带宽为4TB/s，展现了三星在存储技术领域的领先实力。
三星表示，未来将继续与包括英伟达在内的全球企业展开深度合作，共同推动下一代存储技术的发展，以应对AI时代对存储解决方案的更高要求。
