联华电子(UMC),又称联电,在其最新发布的年度报告中透露了关于其技术进展的积极消息。报告指出,联电与英特尔携手开发的12纳米(nm)工艺节点目前正处于顺利的开发阶段。
据联电介绍,12nm工艺相较于其当前的14nm工艺,在功耗、性能和面积(PPA)这三个核心指标上均取得了显著的提升。这一进步使得联电的客户和合作伙伴对12nm工艺所蕴含的商机充满了期待。来自主要客户的初期评估反馈显示,联电的12nm工艺在业界预计将展现出极强的竞争力。
联电预计,12nm制程的工艺验证工作将在2026年完成,并计划在2027年正式投入生产。这一时间表不仅展示了联电在技术推进上的稳健步伐,也为其客户提供了明确的时间规划。
在先进封装技术方面,联电同样取得了不俗的进展。公司表示,其晶圆级3D W2W(晶圆对晶圆)混合键合解决方案在带宽和尺寸缩减方面具有明显的优势。特别是在移动设备射频元器件领域,联电正加速推进,目标是在本年度内实现量产。
联电的这一系列技术突破,不仅彰显了其在半导体制造领域的深厚积累,也为未来的市场竞争奠定了坚实的基础。随着12nm工艺的逐步成熟和先进封装技术的量产,联电有望在半导体行业中继续保持其领先地位。